全球领先的AI嵌入式解决方案商
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Texas Instruments |
| 系列 | NexFET™ |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 9-UFBGA, DSBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.9A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 595pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 162mOhm @ 1A, 1.8V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| 场效应管特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.1V @ 250µA |
| 供应商设备包 | 9-DSBGA |
