Fuan International
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CSD87312Q3E
CSD87312Q3E

Texas Instruments
브랜드
테이프 및 릴(TR)
包装 패키징
배치
1655
주식
제품 사양
유형설명
제조업체Texas Instruments
시리즈NexFET™
패키지테이프 및 릴(TR)
제품상태ACTIVE
패키지/케이스8-PowerTDFN
장착 유형Surface Mount
구성2 N-Channel (Dual) Common Source
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
기술MOSFET (Metal Oxide)
전력 - 최대2.5W
드레인-소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C27A
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds1250pF @ 15V
Rds On(최대) @ Id, Vgs33mOhm @ 7A , 8V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
FET 기능Logic Level Gate
Vgs(일)(최대) @ Id1.3V @ 250µA
공급자 장치 패키지8-VSON (3.3x3.3)
기술 문서
제품 개요
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
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